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科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀功能方法
電池測量：電池充放電測試、恒電流充放電 計時分析：計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC） 暫態(tài)極化：任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP） 穩(wěn)態(tài)極化：開路電位測量（OCP）、恒電位極化（i-t 曲線）、恒電流極化、動電位掃描（TAFEL 曲線）、動電流掃描（DGP） 交流阻抗功能 ：電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～時間掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～電伏安分析：線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）溶出伏安恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安位掃描（Mott-Schottky曲線）
科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀硬件參數(shù)指標
測量通道
3個（同時測量）
通道絕緣電阻
>100MΩ
恒電位控制范圍
±10V
電位控制精度
0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電位靈敏度
10mV(>100Hz), 3mV(<10Hz)
電位上升時間
﹤1mS(<10mA),<10mS(<2A)
參比電極輸入阻抗
1012Ω||20pF
槽壓輸出
±12V
CV 和LSV掃描速度
0.001mV～10000V/s
CA和CC脈沖寬度
0.0001～65000s
SWV頻率
0.001～100KHz
AD數(shù)據(jù)采集
16bit@1MHz，20bit @1kHz
DA分辨率
16bit
建立時間
1mS
低通濾波器
8段可編程
通訊方式
網(wǎng)口通訊
恒電流控制范圍
±500mA
電流控制精度
0.1%×滿量程讀數(shù)
電流靈敏度
<1pA
電流量程
2A～2nA，共10檔
較大輸出電流
500mA
電流掃描增量
1mA @1A/mS
電位掃描電位增量
0.076mV @1V/mS
DPV和NPV脈沖寬度
0.0001～1000s
CV的較小電位增量
0.075mV
IMP頻率
10mHz～1MHz
電流與電位量程
自動設(shè)置
科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀化學(xué)阻抗測量指標
信號發(fā)生器
頻率響應(yīng)
頻率精度
0.005%
DDS輸出阻抗
50Ω
正弦波失真率
<1%
掃描方式
對數(shù)/線性，增加/下降
交流信號幅值
1mV～2500mV
信號分辨率
0.1mV RMS
直流偏壓
-10V～+10V
波形
正弦波，三角波，方波
信號分析器
較大積分時間
106個循環(huán)或者105S
較小積分時間
10mS 或者一個循環(huán)的較長時間
測量時間延遲
0～105S
直流偏置補償
電位補償范圍
帶寬調(diào)整
自動或手動設(shè)置, 共8級可調(diào)
電流補償范圍
-1A～+1A
科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀配置
硅橡膠6支 輔助陰極 3套 網(wǎng)口通訊線 1條 模擬電解池3個 專用電解池 3套 電源線 220V 1條 飽和甘汞電極3支 電極電纜線 1.2m 3條 配套軟件 CS Studio 1套 多通道電化學(xué)工作站 CS3003 1臺 選配：電腦 選配：烘箱 選配：天平
關(guān)鍵詞：武漢科思特、犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀、電化學(xué)工作站、科思特犧牲陽極電化學(xué)性能試驗儀、多通道電化學(xué)工作站
京公網(wǎng)安備 11011502003124號
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